天津β相偏硼酸鋇（BBO）晶體

所屬分類：天津非線性晶體
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發布日期：2020-10-23

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產品概述
性能特點
技術參數

β相偏硼酸鋇（BBO）晶體

晶體特性：

BBO晶體可透過波段范圍寬（190—3500nm），尤其是紫外波段透過好，缺點是具有較小的接收角和較大的發散角，BBO晶體具有高損傷域值，適合應用于高功率，光學均勻性好，是一種高效的非線性晶體。

β相偏硼酸鋇（BBO）晶體

應用范圍：

　　可以廣泛地應用在染料激光器，超快脈沖激光器，鈦藍寶石，氬離子激光器以及銅蒸汽激光器等不同類型的激光器，例如1064nm和800nm二、三、四倍頻，另外BBO晶體的OPO和OPA系統還可用來產生從紫外到紅外的大范圍可調相干光輸出，電光效應好，也是常被制成電光調Q及調制器件的一種電光晶體。

標準要求

長度

Length

0.01mm ~ 25mm

平行

Parallelism

20 arc sec.

波前畸變

Wavefront distortion

λ/8 @ 633nm

光潔度

Surface quality

10-5 膜后 40-20

損傷閾值

Damage threshold

600 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

平面度

Flatness

λ/8 @ 633nm

鍍膜

Coatings

AR/AR @ 1064nm X面鍍金 Au-Cr Electrode

P-coatings for thickness:0.01mm ~ 1mm

（表1）

BBO晶體標準規格
序列號	定向	晶體尺寸	膜系
CPBB0Z-0320	Z切	3x3x20mm3	AR/AR @ 1064nm X面鍍金
CPBB0Z-0420	Z切	4x4x20mm3	AR/AR @ 1064nm X面鍍金
CPBBSH-0501-1064	SHG at 1064nm	5x5x0.5mm3	P-coatings @ 1064nm + 532nm
CPBBSH-0501-800	SHG at 800nm	5x5x0.5mm3	P-coatings @ 800nm + 400nm
CPBBSH-0306-532	SHG at 532nm	3x3x6 mm3	AR/AR @ 532nm + 266nm
備注：BBO薄片帶25.4mm支架，長期提供常規規格產品。