BBO電光Q開關
(BBO普克爾盒)
相對于傳統的KD*P電光調制晶體,BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數,弱的壓電振鈴效應,更寬的光譜透過范圍(210-2000nm)等優點。相對于RTP電光調制晶體,BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應性,有利于提高激光輸出功率的穩定性。因此,由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率(1MHz),高功率(高達1000W)的電光調Q固體激光器,腔倒空調Q激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大激光系統中。在無需水冷的情況下,BBO電光Q開關可關斷并承受高達150W的腔內振蕩光功率(激光輸出功率高達50W)。BBO晶體缺點是電光系數小,半波電壓相對較高,因此可通過增長晶體長度,以及采用兩塊BBO晶體串聯方式來減少半波電壓和四分之波電壓。快譜光電從應用角度特意推出單晶,雙晶BBO電光Q開關,BBO電光調制器等常規產品,同時我們也將提供配套的調制、調Q、選單、再生放大驅動電源等相關產品。


產品特點及優勢:
  
? 插拔式電極插針
? 通光孔徑小于晶體橫截面的設計
? 抗高功率抗高溫材料殼體設計
? 特有的低應力裝配技術
? 超高要求的晶體質量控制
? 超小的體積,超輕的質量,超緊湊的設計
產品規格型號:
BBO單晶開關規格參數  | ||||||
產品型號  | CPBPC-02502525-2035  | CPBPC- 02502525-151728S  | CPBPC-030320-2035  | CPBPC-030325-2035  | CPBPC-040420-2035  | CPBPC-040425-2035  | 
通光孔徑, mm  | 2.2  | 2.2  | 2.7  | 2.7  | 3.7  | 3.7  | 
晶體尺寸, (W×H×L), mm3  | 2.5x2.5x25  | 2.5x2.5x25  | 3x3x20  | 3x3x25  | 4x4x20  | 4x4x25  | 
外殼尺寸 (mm)  | Dia.20x35  | 15x17.5x28 方形外殼  | Dia.20x35  | Dia.20x35  | Dia.20x35  | Dia.20x35  | 
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC  | 2.4kV  | 2.4kV  | 3.6kV  | 2.9kV  | 4.8kV  | 3.9kV  | 
電容, pF  | 2.2  | 2.2  | 3  | 3  | 4  | 4  | 
透過率(%)  | >99%  | |||||
消光比(Voltage-Free)  | 
 1000:1  | |||||
使用波長  | 1030nm-1064nm  | |||||
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm  | 
 600MW/cm2  | |||||
(圖3)
BBO雙晶開關規格參數  | ||
產品型號  | CPDBPC-030320-2555  | CPDBPC-040420-2555  | 
通光孔徑, mm  | 2.7  | 3.7  | 
晶體尺寸, (W×H×L), mm3  | 3x3x20 一對  | 4x4x20 一對  | 
外殼尺寸 (nm)  | Dia.25x55 | Dia.25x55 | 
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC  | 1.8kV  | 2.4kV  | 
電容, pF  | 6  | 7  | 
透過率(%)  | >99  | |
消光比 (Voltage-Free)  | >500:1 | |
| 使用波長 | 1030nm-1064nm | |
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm  | 600MW/cm2 | |
產品外觀圖:

                                
                                                                                         

