硅酸鎵鑭晶體（LGS晶體）是一種具有很高損傷閾值的光學非線性材料，電光系數高，電光性能優良，屬于三方晶系結構，熱膨脹系數較小，熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩定性好(優于石英晶體)，具有的兩個獨立電光系數，與BBO晶體的電光系數相當，很大的溫度范圍內電光系數值保持穩定，該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質穩定，具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率。可應用于電光調制、電光調q，缺點是電壓較高。

　　LGS晶體具有很廣泛的應用范圍：除了壓電效應、旋光效應外，其電光效應性能也非常優越高重復頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開關都適用，我們應用LGS晶體的電光系數γ11來制作Q開關，選擇其較大的縱橫比來降低Q開關的半波電壓，可應用于更高功率重復頻率的全固態激光器的電光調Q，比如:可應用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態激光器，zui高頻率可達300KHZ，zui高輸出可達715w，脈寬為46ns，連續輸出可以達到近10w，光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上，1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開關低，且材料和裝配成本低于同口徑RTP開關，和DKDP開關比較，不潮解，溫度穩定性好，可以應用在惡劣環境，是性能優異的可以滿足不同應用領域的電光開關。

基本屬性：

標準要求：

常規尺寸：