BBO電光Q開關資訊

2019-12-05

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　　相對于傳統的KD*P電光調制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。相對于RTP電光調制晶體，BBO晶體具有更高的消光比、三倍頻晶體廠家告訴您:抗損傷閾值和溫度適應性，有利于提高激光輸出功率的穩定性。因此，由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率（1MHz），高功率（高達1000W）的電光調Q固體激光器，腔倒空調Q激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大激光系統中，我們也提供配套的調制，調Q，選單，再生放大等驅動電源。由于電光Q開關的的關斷時間（<4ns）遠短于聲光Q開關的關斷時間（<100ns），因此，采用BBO電光 Q開關的全固態短腔調Q激光器可產生脈沖寬度小于4ns的高能激光，是作為電光內雕機的建議光源。在無需水冷的情況下，BBO電光Q開關可關斷并承受高達150W的腔內振蕩光功率（激光輸出功率高達50W）。BBO晶體缺點是電光系數小，半波電壓相對較高，因此可通過增長晶體長度、減少電極間距，以及采用兩塊BBO晶體串聯方式來減少半波電壓和四分之波電壓。COUPLETECH從應用角度特意推出單晶，雙晶BBO電光Q開關，BBO電光調制器等常規產品。

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產品特點及優勢：
　　●插拔式電極插針
　　●硬陶瓷端蓋設計
　　●通光孔徑小于晶體橫截面的設計
　　●抗高功率抗高溫材料殼體設計
　　●特有的低應力裝配技術
　　●超高要求的晶體質量控制
　　●超小的體積，超輕的質量，超緊湊的設計

BBO電光晶體標準要求
截面	1 x 1 ~ 12 x 12 mm2 （其他尺寸可訂制）
長度	20mm - 28 mm (其他尺寸可訂制)
定向精度	10 arc min
平面度	λ/8 @ 633nm
透過畸變	λ/8 @ 633nm
光學平行	20 arc sec.
側垂	10 arc sec.
光潔度	10-5 膜后40-20
端面鍍膜	AR/AR @1064nm （R<0.2%）

（圖1）

BBO單晶電光開關規格參數
產品型號	CPBPC-02	CPBPC-03	CPBPC-04	CPBPC-05	CPBPC-02L	CPBPC-03L	CPBPC-04L	CPBPC-05L
通光孔徑, mm	1.8	2.8	3.6	4.6	1.8	2.8	3.6	4.6
晶體尺寸, (W×H×L), mm3	2x2x20	3x3x20	4x4x20	5x5x20	2x2x25	3x3x25	4x4x25	5x5x25
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	2.4kV	3.6kV	4.8kV	6.0kV	1.9kV	~2.9kV	3.9kV	4.8kV
電容, pF	4	4	4	4	5	5	5	5
外殼尺寸mm	φ20×35			φ25×35	φ20×35			φ25×35
透過率（%）	99	消光比		>1000:1	通光孔徑 mm		最大可供12x12截面
端面鍍膜波長	210-2000nm可訂制			抗光傷閾值		600MW/cm2 @10ns，10Hz，1064nm

（圖2）

BBO雙晶電光開關規格參數
產品型號	CPDBPC-03	CPDBPC-04	CPDBPC-05	CPDBPC-03L	CPDBPC-04L	CPDBPC-05L
通光孔徑, mm	2.8	3.6	4.6	2.8	3.6	4.6
晶體尺寸, (W×H×L), mm3	3x3x20	4x4x20	5x5x20	3x3x25	4x4x25	5x5x25
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	1.8kV	2.4kV	3.0kV	1.5kV	2.0kV	2.4kV
電容, pF	8	8	8	10	10	10
透過率（%）	98	消光比（Voltage-Free）		>500:1	外殼尺寸, mm	25.4 x60