DKDP電光Q開關資訊

2019-12-05

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產品特性：
　　磷酸二氘鉀DKDP（KD*P）晶體光學損耗低，消光比高，電光性能好，應用廣泛，通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體（DKDP）利用其縱向效應制成電光調Q開關，適合用于脈沖固體激光器中，通常應用于低重復頻率條件時激光美容與激光醫療等領域，但是因為DKDP晶體電光應用的缺點是四分之波電壓比較高，1KHz以上有振鈴效應，快譜光電可提供DKDP電光調制器，DKDP單晶，雙晶電光開關等產品。
　　因DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差，建議使用時需注意在以下操作環境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時請存儲于干燥箱內。
　　注：由于DKDP普克爾盒所需施加的四分之一波長電壓和半波電壓與溫度有關，在1064nm波長下，四分之一波長電壓隨溫度變化的規律是溫度每升高1oC，所需四分之一波長電壓升高約50V。即，dV/dT約為+50V/oC 。

DKDP電光Q開關

應用范圍：
　　●染料激光器800nm二、三倍頻以及1064nm 二、三、四倍頻
　　●電光調制、電光調Q
　　●高速攝像開關

KDP & DKDP電光晶體標準要求
截面	5 x 5 ~ 50 x 50 mm2
長度	2 mm ~ 40 mm
超大尺寸	100x100mm2
含氘量	>96%
平面度	λ/8 ~ λ/4 @ 633nm
波前畸變	λ/8 ~ λ/4 @ 633nm
定向精度	0.2°
透過畸變	λ/8 @ 633nm
光學平行	< 20 arc sec.
側垂	< 10 arc sec.
光潔度	10-5 膜后20-10 or 40-20
倒邊	<0.2mm x 45°
鍍膜指標	AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)
損傷閾值	350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

KDP與DKDP晶體屬性參數
	DKDP	KDP
化學式	KH2PO4	KD2PO4
透光波段	200-2150nm	178-1580nm
非線性系數	d36=0.40pm/V	d36=0.44pm/V
電光系數	γ63=25pm/V γ41=8.8pm/V	γ63=10.3pm/V γ41=8.8pm/V
吸收系數	0.005/cm	0.07/cm
半波電壓	2.98KV 546nm	7.65KV 546nm

標準要求（DKDP電光調Q及電光調制器）
截面	最大	直徑50 mm2
	最小	直徑5 mm2
長度	最長	40 mm
透過畸變		λ/8 @ 633nm
光學平行		< 20 arc sec.
側垂		< 5 arc sec.
光潔度		10-5 膜后20-10
四分之一波電壓		3.2kV at 1064nm, 20oC
半波電壓		6.4kV at 1064nm, 20oC
輸入/輸出端鍍膜		300-1200nm可訂制
透過畸變		λ/8 @ 633nm
整體透過率		>98%
損傷閾值		350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz

DKDP電光Q開關

標準規格（Z切DKDP晶體）
單晶DKDP開關
序列號	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設計）	四分之波電壓		電容
CPDPC-15	Dia.15 mm	Ф35×45mm	3300V at 20oC		<15pF
CPDPC-12	Dia.12 mm	Ф32×40mm/Ф25.4×33mm	3300V at 20oC		<7pF
CPDPC-10	Dia.10mm	Ф32×40mm/Ф25.4×33mm	3300V at 20oC		<6pF
CPDPC-08	Dia.8mm	Ф20×35mm/Ф19×25mm	3300V at 20oC		<5pF
消光比	>1500:1
雙晶DKDP開關
序列號	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設計）		四分之波電壓	電容
CPDDPC-10	Dia.10mm	Ф50×70mm		1600V at 20oC	<15pF
CPDDPC-08	Dia.8mm	Ф50×70mm		1600V at 20oC	<7pF
消光比	>500:1